euv原理、euv機台、euv光罩在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說

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EUV （極紫外線，Extreme Ultraviolet 略稱）微影，是使用通稱極紫外線之極短波（13.5 nm）光線的微影技術，能夠加工至既有ArF 準分子雷射光微影技術不易達到之20 nm ...

EUV 光的產生是用二氧化碳雷射每秒5 萬次去轟擊液態錫滴。出來的EUV 光通過一個直徑為0.65 公尺的橢球反光鏡送進微影機台裡頭。錫滴位於橢球反光 ...

此機的概念是由中研院院士林本堅任職於台積電所提出的，原理上當光通過液體介質的時候，其速度會變慢，也就是波長會變短。因此若將被曝光的晶圓浸泡在液體 ...

EUV 光刻的一大挑戰在於產生13.5奈米的最佳波長光束。解決方案：透過雷射射束生成提供極短波長光束的發光電漿。但如何先形成電漿？發生器讓錫 ...

半導體製程的原理是「差異蝕刻」：半導體基板上被光照射的區域會發生化學變化，使其化學成分 ... 氙電漿會釋放11奈米的EUV，是半導體製程的理想選擇。

新聞常在報的五奈米、三奈米先進製程、EUV微影技術等等， ... 紫外光經過光罩後，利用各種光學原理將光束射在晶圓上，就可以在上面刻出精細的電路圖了 ...

EUV ，全名為Extreme Ultraviolet，中文叫做「極紫外光」，是一種波長極短的紫外光，一般生活中要塗乳液防曬的紫外線波長約在100~400奈米，而極紫外光才13.5 奈米而已，可說 ...

除此之外，三星也希望把EUV應用大1Xnm級別的DRAM上。但並不是每一個晶片製造商都把希望寄托在EUV光刻上，TSMC表示在7nm的時候會依賴 ... EUV工作原理.

當光罩上的線路圖案（Patterns）轉印完後，機台會稍微移動晶圓，並將後續的線路圖案繼續轉印在同一片晶圓上。這個過程會一直重複直到晶圓佈滿線路圖案，便 ...

極紫外線(EUV) 光罩是以新式微影系統，透過高能量、短波長的光源，將電路圖案轉印到晶圓。EUV 光源波長比目前深紫外線微影製程的光源波長短少約15 倍，因此能持續將線 ...