euv duv差異、euv機台、euv光罩在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說

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DUV 光刻機光源為準分子雷射，而EUV光刻機則是雷射激發等離子來發射EUV光子。通過不同方式，二者發出的光源也不同。其中，DUV光刻機的波長能達到193納米， ...

EUV 光源波長比目前DUV（深紫外線微影）的光源波長短，約為15分之1，因此能使用於線距更小電路圖案的曝光上。然而EUV光罩與傳統的光罩截然不同，當採用13.5nm波長的極 ...

euv 和duv區別：1、duv基本上只能做到25nm，而euv能滿足10nm以下的晶圓權制造；2、duv主要利用光的折射原理，而euv利用的光的反射原理，內部必須為真空 ...

微影設備是利用光線的波長來加工精密尺寸的晶片，又稱蝕刻機、光刻機；波長不同效率差很大。最早是使用汞燈產生的紫外光源，再來是深紫外光源（Deep ...

其次，二者的光路系统有着明显的差异。 DUV光路主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入 ...

首先，二者發光原理不同。 DUV光刻機光源為準分子鐳射，而EUV光刻機則是鐳射激發等離子來發射EUV光子。透過不同方式，二者發出的光源也不同。

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其次是光路系統的區別。 DUV光刻機的光路，主要利用光的折射原理，而且透鏡和晶圓之間可以採用不同的介質，來改變光刻效能 ...

據中國媒體消息指出，雖然目前極紫外曝光機，俗稱EUV 光刻機仍受美國技術封鎖而無法出口，但ASML 保證DUV 就完全沒有問題，尤其是浸潤式DUV，並不需要 ...

DUV 是深紫外线（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是极深紫外线（Extreme Ultraviolet Lithography）。从制程范围来看，DUV基本上只能做到25nm，Intel凭借双工作台的 ...