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新型的光阻劑是專為需要兼具靈敏度與機械穩定度的EUV微影而設計，但研究人員們也希望新的光阻劑能改善線邊緣粗糙度，這一點在10nm及其以下先進製程變得越來越重要。「高 ...

光阻劑（英語：photoresist），亦稱為光阻或光阻劑，是指經過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射後，溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料，是微影製程中 ...

目前新型EUV 光阻包括金屬氧化物、乾式光阻，與傳統相比，金屬氧化物光阻光吸收性更好，蝕刻更精準。而乾式光阻比傳統光阻相比能顯著降低生產成本，能源 ...

ZEON對於主鏈切斷型電子束光阻的下一個目標則是投入EUV光阻市場。目前最先進的製程節點為5奈米，今後隨著製程節點技術的路線圖持續往3奈米、2奈米逼近 ...

依曝光的光源不同，光源可區分為紫外線(UV)、深紫外線(Deep UV；DUV)和超紫外線(Extreme UV；EUV)三種。和紫外線搭配的為g-line(436nm)和i-line(365nm)光 ...

此挑戰來自於光阻劑成分和擊中光阻劑的光子數量的隨機變異，此現象在高能量EUV微影中已變得更為嚴重。這些變異統稱為隨機性(stochastics)或隨機變異 ...

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三星電子（Samsung Electronics）近期成功導入東進世美肯（Dongjin Semichem）的極紫外光光阻劑（EUV photoresist）至半導體量產製程中，成功實現材料 ...

杜邦公司(DuPont)於2020年1月9日宣布，將投資2800萬美元，在南韓天安市建立一個極紫外光（EUV）光阻劑（photoresists）生產廠。該材料用於#半導體製造過程中的#光學晶圓 ...